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1：磁區(qū)壁一奈秒能移動(dòng)150奈米，使存取時(shí)間縮小到奈秒級(jí)，這速度比硬碟快數(shù)百萬(wàn)倍，與揮發(fā)性記憶體不相上下。
2：現(xiàn)在看來(lái)，未來(lái)存儲(chǔ)層次會(huì)包括一個(gè)只需丁點(diǎn)微妙存取時(shí)間且較大半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器。
3：減少磁盤(pán)的存取時(shí)間是提高數(shù)據(jù)庫(kù)性能的關(guān)鍵。
4：在動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)當(dāng)中，增加內(nèi)聯(lián)結(jié)構(gòu)的種類和數(shù)量，可以使存取時(shí)間加快。
5：相對(duì)于硬碟機(jī)而言，軟式磁碟的記錄能力很小存取時(shí)間很慢，但它提供了儲(chǔ)存和傳送資料的便捷方法。
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